电阻器的挑选技巧你了解吗 正如我们所知在半导体材料中缺陷密度的高低和结晶质量的好坏也会影响到材料的电学性质包括迁移率、背底载流子浓度及电阻率等然而还没有看到 MgO 缓冲层对 ZnO 薄膜的电阻率等电学性质产生很大影响的报道。所以我们研究了在低温 ZnO 缓冲层的基础上额外引入 MgO 缓冲层对 ZnO 薄膜结构、光学性质及电学性质的影响。

2.2.1 薄膜生长衬底清洗 衬底洁净与否将会直接影响到后续薄膜生长的质量及器件的性能因此我们对蓝宝石0001衬底进行清洗清洗的流程如下:1、将衬底放入洗干净的烧杯中然后倒入丙酮在沸腾的丙酮中煮 10 分钟重复两 次2、电阻器在丙酮溶液中超声清洗 5 分钟重复两次3、在乙醇溶液中超声清洗 5 分钟重复两次4、在去离子电阻器电阻率大于等于 18Mfgtcm中超声清洗 5 分钟重复两次5、在 16rC 的 H3PO4 和 H2SO4 的混合溶液H3PO4: H2SO4-I: 3中浸泡 30 分 钟进行化学刻烛6、迅速取出并用去离子水冲洗干净7、在去离子水中超声清洗 5 分钟重复两遍以上清洗期间不要让衬底露出液面暴 露到空气中8、电阻器用高纯氮吹干期间避免镊子接触衬底表面。 以上清洗的目的主要是为了去掉衬底表面的有机物杂质用丙酮和乙醇和无机物杂质及机械抛光造成的表面损伤用 H3PO4 和 H2SO4 的混合溶液薄膜生长 ZnO 薄膜的生长采用的是射频等离子体辅助分子束外延系统RF-MBE该系统由 MBE—IV 型系统和一个 13.56 MHz 的射频等离子体单元组成。

电阻器具体生产过程如下:1将干净的蓝宝石0001衬底安装在钼材质的衬底盘上将衬底盘通过进样室传 入预生长室。2当预生长室的基压小于 5x10Pa 时将衬底盘加热至 80rC并维持 30 分钟。实现 衬底的高温去气处理。3将衬底盘传入生长室并在 70rc 下用氧等离子体将衬底处理 20 分钟其中射频 电阻器功率保持在 280 W氧气的流量通过质量流量计控制在 1.4SCCM生长室的基压 为 9x10∧8pa。